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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]二极管-CN201510063849.8有效
发明人：木山诚;松浦尚;岛津充 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V_阻断²的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流‑电压特性来获得。将反向阻断电压V_阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V_阻断的范围中对二极管(1)的反向电容‑电压特性中得到的电容(C)积分来获得。
二极管

[发明专利]二极管-CN201510064902.6在审
发明人：木山诚;松浦尚;岛津充 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.25×V_阻断²的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流-电压特性来获得。将反向阻断电压V_阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q由用双脉冲方法实施测试的结果来获得。
二极管

[发明专利]二极管-CN201010226329.1有效
发明人：安东尼·J·罗特费尔德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管，包括：一基板；一第一介电材料，包括露出该基板的一部的至少一开口；一底二极管材料，包括至少部分地设置于该开口内的一下方区以及延伸至该开口之上的一上方区，该底二极管材料包括晶格不匹配于该基板的一化合物半导体材料；一有源二极管区，邻近于该底二极管材料；以及一顶二极管材料，邻近该有源二极管区。本发明可降低太阳能电池、发光二极管以及其他化合物半导体装置的成本，以及改善发光二极管的汲出效率与内部量子效率。
二极管

[发明专利]二极管-CN201610576542.2在审
发明人：文塔瓦·查旺 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在具有柱区、势垒区、中间区、阴极区的二极管中，对寄生晶体管导通的情况进行抑制。在俯视观察时，二极管具有单元区域、中间区域、外周区域。中间区域具有：第二阳极区，其为p型，并且与阳极电极欧姆接触；空穴抑制区，其与阳极电极相接；第二中间区，其为p型，并且从背面侧与第二阳极区和空穴抑制区相接，中间区域不具有势垒区。
二极管

[发明专利]二极管-CN201710546131.3在审
发明人：徐哲;刘钺杨;吴迪;曹功勋;和峰;何延强;王耀华;刘江;崔磊;金锐;温家良;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供了一种二极管，包括依次分布的阳极P区、阴极N‑区和阴极N+区；其中，在该N‑区中设置有N型控制区，其中该N型控制区的平均掺杂浓度大于该N‑区的平均掺杂浓度，该N型控制区的厚度小于该N‑区的厚度二极管容易产生震荡的一个原因是电场的截止位置处缺少相应的载流子，从而造成电流的急剧变化而产生震荡，通过加入N型控制层可以控制电场的分布，从而使得电场截止的位置处仍然具有一定的载流子浓度，不会使电流发生急剧变化而产生震荡，从而解决了现有技术中二极管在反向恢复过程中容易发生snap‑off现象的问题，延长了二极管的使用寿命。
二极管

[发明专利]二极管-CN201811461305.7在审
发明人：陆远林 -专利权人：仪征市嘉中电子元件有限公司
申请日： 2018-12-02 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种二极管，包括第一电极、第二电极和外壳，外壳侧壁设置有至少一个用于提高外壳散热面积的散热板。本发明的二极管侧壁设置有弧形结构散热板，从而大大提高二极管的散热性能。
二极管散热板第二电极第一电极弧形结构散热性能外壳侧壁散热侧壁

[发明专利]二极管-CN201980056661.7在审
发明人：深作克彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：二极管11A设置有分层结构20以及设置在分层结构的长度方向上的端部的第一连接部31和第二连接部32。通过在厚度方向上交替层叠具有纳米线结构或纳米片结构的第一结构体21和第二结构体22而形成分层结构20。第一连接部31是第一导电类型；第二连接部32是第二导电类型；还设置控制电极部23，其至少从峰部分跨越到分层结构20的侧表面，并且形成为与第一连接部31和第二连接部32分离；并且第一连接部31和控制电极部23或者第二连接部32和控制电极部23电连接。
二极管

[发明专利]二极管-CN200910126539.0有效
发明人：三好诚二;冈田哲也 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及二极管。在半导体基板的第一主面设置有电导率调制型元件的pn结二极管中，若为缩短反向恢复时间(trr)而降低p型杂质区域的杂质浓度，则存在空穴的注入降低，某电流点的正向电压(VF)的值变高的问题。
二极管

[发明专利]二极管-CN201880051971.5有效
发明人：佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种成本低且能够容易地制造的利用了异质pn结的Ga2O3系的二极管。作为一实施方式，提供二极管(2)，其具备：n型半导体层(21)，其包括n型Ga2O3系单晶；以及p型半导体层(22)，
二极管

[发明专利]二极管-CN201010297895.1无效
发明人：张桂英;张尧龙;孙孝兵;肖汉军 -专利权人：连云港丰达电子有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明是一种二极管，其特征在于：它包括肖特基芯片，在肖特基芯片的两端各焊接设有一个无氧铜导线，所述的肖特基芯片和无氧铜导线采用注塑封装的方式封装于一个方形环氧模塑料块中，无氧铜导线的连接端伸出环氧模塑料块外而且本发明二极管是通过焊接、注塑封装的方法制成，它取消了酸洗上胶流程，杜绝了产品在制作过程中对环境的污染，同时大大地缩短了产品的生产周期，提高了产品的生产效率；进一步通过采用低正向压降的肖特基芯片，也能有效地降低器件本身的功耗
二极管

[实用新型]二极管-CN201420756858.6有效
发明人：薛敬伟;王锡胜;胡长文;张韶海 -专利权人：滨海治润电子有限公司
申请日： 2014-12-06 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了二极管，包含两根引脚、塑封体和芯片，所述芯片封装在塑封体内，所述两根引脚分别连接芯片的输入端和输出端并伸直到塑封体外，所述两根引脚在塑封体外的部分呈弯曲状。
二极管

[实用新型]二极管-CN201420582312.3有效
发明人：吕三明;林月湄 -专利权人：朋程科技股份有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供一种二极管，二极管包括第一电极、第二电极、配置在第一电极与第二电极之间的半导体芯片以及多个焊料。所述焊料分别配置在第一电极与半导体芯片之间，及第二电极与半导体芯片之间，以使第一电极、第二电极与半导体芯片通过焊料而相互电性导通。第一电极以第一接触面接触焊料，第二电极以第二接触面接触焊料，且第一接触面与第二接触面的至少其中之一为粗糙面。
二极管

[实用新型]二极管-CN201020236519.7有效
发明人：陈永晚;杨晓智;邵士成;李建球 -专利权人：深圳市鹏微科技有限公司
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二极管，其包括P/N型衬底；形成于P/N型衬底顶表面中心区域的N+/P+层；形成于P/N型衬底的顶表面以及N+/P+层顶表面部分区域的第一P+/N+层，第一P+/N+层与P/N型衬底和借此，本实用新型改善了二极管的动态参数(如反向恢复时间)，更加适用于开关电路中功率开关三极管BE极之间反向并接二极管的结构，其能提高开关电路工作的稳定性和可靠性。
二极管

[实用新型]二极管-CN201820435141.X有效
发明人：薛云峰;刘广海 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及半导体器件领域，公开了一种二极管，包括具有P接触区和N接触区的PN结及形成在所述PN结上的钝化结构，所述钝化结构包括：第一介质层、第二介质层、银电极层及聚酰亚胺层；所述第一介质层形成在所述PN结上并包围所述P接触区；所述第二介质层包括二氧化硅层和氮化硅层，所述二氧化硅层形成在所述第一介质层上并延伸至覆盖部分所述P接触区，所述氮化硅层形成在所述二氧化硅层上并延伸至覆盖部分所述P接触区；所述银电极层形成在所述本实用新型所提供的二极管可靠性高。
介质层氮化硅层二氧化硅层二极管银电极层本实用新型聚酰亚胺层延伸钝化结构覆盖半导体器件领域包围

[实用新型]二极管-CN201320893727.8有效
发明人：贾文庆;王明辉;彭时秋 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供了二极管。一种二极管可包括：金属板；以及一个或多个半导体二极管芯片，每个半导体二极管芯片夹在相邻的两块金属板之间，其中每个半导体二极管芯片包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括N掺杂层和在所述N掺杂层之上的P掺杂层，所述P掺杂层与所述N掺杂层之间形成PN结；以及覆盖所述半导体衬底上表面的第一电极层和覆盖所述半导体衬底下表面的第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层分别接触相邻的两块金属板。
二极管

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